CY7C156KVV18-450BZXC電子元器件
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產品描述
CY7C156KVV18-450BZXC電子元件屬於72 Mbit QDR®II+SRAM四字突發結構（2.5週期讀取延遲）。所有同步輸入都通過由K或K輸入時鐘控制的輸入寄存器。 所有數據輸出都通過由K或K個輸入時鐘控制的輸出寄存器。 使用片上同步自定時寫入電路進行寫入。
CY7C156KVV18是1.8V同步流水線SRAM，配備QDR II+架構。 與QDR II架構類似，QDR II+架構由兩個獨立的埠組成：讀取埠和寫入埠，用於訪問記憶體陣列。
讀取埠具有專用數據輸出以支持讀取操作，而寫入埠具有專用的資料登錄以支持寫入操作。 QDR II+架構具有獨立的資料登錄和數據輸出，完全消除了“周轉”常見I/O設備中存在的數据總線的需要。
產品特點
類型 | 主要產品特點 |
CY7C1565KV18-450BZXC | 550 MHz時鐘，用於高頻寬 |
獨立的讀寫數據埠 | |
2.5時鐘週期延遲可用 | |
提供×36配寘 |
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