CY7C156KVV18-500BZXC電子元器件

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產品描述

CY7C156KVV18-500BZXC電子元件是1.8V同步流水線SRAM，配備QDR II+架構。與QDR II架構類似，QDR II+架構由兩個獨立的埠組成：讀取埠和寫入埠，用於訪問記憶體陣列。深度擴展通過埠選擇實現，使每個埠能够獨立操作。

讀取埠具有專用數據輸出以支持讀取操作，而寫入埠具有專用的資料登錄以支持寫入操作。 QDR II+架構具有獨立的資料登錄和數據輸出，完全消除了“周轉”常見I/O設備中存在的數据總線的需要。

每個埠都通過公共地址匯流排進行訪問。讀地址和寫地址的地址在輸入（K）時鐘的交替上升沿被鎖存。對QDR II+讀寫埠的訪問是完全相互獨立的。為了最大限度地提高數據輸送量，讀寫埠都配備了DDR介面。

每個地址位置與四個36比特字（CY7C15615KV18）相關聯，這些字按順序突發到設備中或從設備中突發出來。由於數據在兩個輸入時鐘（K和K）的每個上升沿都會傳輸到設備中或從設備中傳輸出來，囙此在消除匯流排“周轉”的同時，最大限度地提高了記憶體頻寬，簡化了系統設計。

產品特點

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