CY7C156KVV18-550BZXC電子元器件

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產品描述

CY7C156KVV18-550BZXC電子元件屬於Cypress電子元件的72Mbit QDR®II+SRAM四字突發結構（2.5週期讀取延遲）。

數據通過寫埠流入SRAM，通過讀埠流出。這些設備對地址輸入進行多工，以最大限度地减少所需的地址引脚數量。通過具有獨立的讀寫埠，QDR II+完全消除了“周轉”數据總線的需要，並避免了任何可能的數據爭用，從而簡化了系統設計。在CY7C156KVV18-550BZXC的情况下，每次訪問由兩個時鐘週期內的四次36比特資料傳輸組成。

產品特點

類型	主要產品特點
CY7C1565KV18-550BZXC	獨立的讀寫數據埠
	550 MHz時鐘，用於高頻寬
	用於降低地址匯流排頻率的四字突發
	2.5時鐘週期延遲可用

產品描述

CY7C156KVV18是一款1.8V同步流水線SRAM，採用QDR II+架構。與QDR II架構類似，QDR II+架構由兩個獨立的埠組成：讀取埠和寫入埠，用於訪問記憶體陣列。讀取埠具有專用數據輸出以支持讀取操作，而寫入埠具有專用的資料登錄以支持寫入操作。

深度擴展是通過埠選擇實現的，這使每個埠能够獨立操作。所有同步輸入通過由K或K個輸入時鐘控制的輸入寄存器。所有數據輸出都通過由K或K個輸入時鐘控制的輸出寄存器。使用片上同步自定時寫入電路進行寫入。

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